INFLUENCE DE L'IRRADIATION PAR LES ELECTRONS SUR LES PROPRIETES ELECTROPHYSIQUES ET LA RECOMBINAISON DANS L'ANTIMONIURE D'INDIUMZAITOV FA; POLYAKOV A YA.1978; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; SUN; DA. 1978; VOL. 12; NO 9; PP. 1782-1788; BIBL. 21 REF.Article

COMPLEXES DE DONNEURS AVEC DES ATOMES INTERSTITIEL D'INDIUM SOUS IRRADIATION GAMMA A BASSE TEMPERATURE DE L'ANTIMONIURE D'INDIUMZAITOV FA; GORSHKOVA OV; POLYAKOV A YA et al.1982; IZVESTIJA AKADEMII NAUK SSSR. NEORGANICESKIE MATERIALY; ISSN 0002-337X; SUN; DA. 1982; VOL. 18; NO 11; PP. 1781-1783; BIBL. 10 REF.Article

INTERACTION DES DEFAUTS D'IRRADIATION PRIMAIRES AVEC LES DISLOCATIONS DANS L'ANTIMONIURE D'INDIUMZAITOV FA; GORSHKOVA OV; POLYAKOV A YA et al.1982; FIZIKA I TEHNIKA POLUPROVODNIKOV; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1982; VOL. 16; NO 10; PP. 1863-1865; BIBL. 19 REF.Article

CALCUL DU DOMAINE D'HOMOGENEITE DE L'ANTIMONIURE D'INDIUMZAITOV FA; GORSHKOVA OV; POLYAKOV A YA et al.1981; IZVESTIJA AKADEMII NAUK SSSR. NEORGANICESKIE MATERIALY; ISSN 0002-337X; SUN; DA. 1981; VOL. 17; NO 9; PP. 1541-1544; BIBL. 19 REF.Article

FORMATION DE DEFAUTS DANS INSB DOPE AVEC GD, GE, CU, AG, ZN ET CD SOUS L'EFFET D'UNE IRRADIATIONZAITOV FA; GORSHKOVA OV; POLYAKOV A YA et al.1982; IZVESTIJA AKADEMII NAUK SSSR. NEORGANICESKIE MATERIALY; ISSN 0002-337X; SUN; DA. 1982; VOL. 18; NO 11; PP. 1777-1780; BIBL. 17 REF.Article

NATURE DES DEFAUTS D'IRRADIATION DANS L'ANTIMONIURE D'INDIUM IRRADIE PAR ELECTRONSZAITOV FA; GORSHKOVA OV; POLYAKOV A YA et al.1982; IZV. AKAD. NAUK SSSR, NEORG. MATER.; ISSN 0002-337X; SUN; DA. 1982; VOL. 18; NO 1; PP. 8-11; BIBL. 9 REF.Article

Comparaison des paramètres des centres profonds dans les semiconducteurs de grande résistance par spectrométrie photoélectrique de relaxation avec balayage thermique ou de fréquenceOMEL'YANOVSKIJ, EH. M; POLYAKOV, A. YA; TISHKIN, M. V et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 4, pp 725-727, issn 0015-3222Article

Nature de la bande de photoluminescence d'énergie 1,14 eV dans les cristaux de InPLOSHINSKIJ, A. M; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 11, pp 1986-1990, issn 0015-3222Article

Influence de l'hydrogène atomique sur les propriétés de l'arséniure de galliumOMEL'YANOVSKIJ, EH. M; PAKHOMOV, A. V; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 5, pp 842-847, issn 0015-3222Article

Passivation de donneurs à niveaux peu profonds dans le phosphure d'indium par l'hydrogène atomiqueOMEL'YANOVSKIJ, EH. M; PAKHOMOV, A. V; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 10, pp 1892-1894, issn 0015-3222Article

Passivation de centres d'impureté à niveau peu profond dans l'arséniure de gallium, à l'aide d'hydrogène atomiqueOMEL'YANOVSKIJ, EH. M; PAKHOMOV, A. V; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 10, pp 1762-1764, issn 0015-3222Article

Nature de la structure fine des spectres de réflexion du réseau de l'arséniure de galliumBELOGOROKHOV, A. I; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M; PAKHOMOV, A. V et al.Fizika tverdogo tela. 1987, Vol 29, Num 10, pp 2886-2889, issn 0367-3294Article

Diffusion de l'hydrogène dans le siliciumOMEL'YANOVSKIJ, EH. M; PAKHOMOV, A. V; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 1, pp 178-180, issn 0015-3222Article

Passivation des centres accepteurs dans le phosphure d'indium par de l'hydrogène atomiqueOMEL'YANOVSKIJ, EH. M; PAKHOMOV, A. V; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 7, pp 1267-1269, issn 0015-3222Article

Passivation des centres donneurs et accepteurs dans les solutions ternaires et quaternaires du système InGaAsP à l'aide de l'hydrogène atomiqueOMEL'YANOVSKIJ, EH. M; PAKHOMOV, A. V; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1989, Vol 23, Num 9, pp 1711-1713, issn 0015-3222Article

Détermination des paramètres des centres profonds dans les semiconducteurs très résistants par la méthode de spectroscopie de relaxation photoélectrique des niveaux profondsOMEL'YANOVSKIJ, EH. M; POLYAKOV, A. YA; RYTOVA, N. S et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1986, Vol 20, Num 8, pp 1428-1432, issn 0015-3222Article

Spectroscopie de relaxation dynamique ― détermination des paramètres des états électroniques localisés en régime de stimulation thermique périodiqueOMEL'YANOVSKIJ, EH. M; PAKHOMOV, A. V; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 7, pp 1203-1207, issn 0015-3222Article

Nature de certains pièges donneurs dans l'arséniure de galliumGLORIOZOVA, R. I; GRISHINA, S. P; KOLESNIK, L. I et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1984, Vol 18, Num 8, pp 1450-1454, issn 0015-3222Article

Etude du spectre des niveaux profonds dans les structures épitaxiques par la méthode de spectroscopie de relaxation des courants photoinduitsKUZNETSOV, V. P; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 4, pp 735-737, issn 0015-3222Article

Comportement du vanadium dans l'arséniure de galliumBOL'SHEVA, YU. N; GRIGOR'EV, YU. A; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1987, Vol 21, Num 11, pp 2024-2027, issn 0015-3222Article

Mécanisme de la passivation des donneurs à niveaux peu profond dans l'arséniure de gallium par l'hydrogène atomiqueOMEL'YANOVSKIJ, EH. M; PAKHOMOV, A. V; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 12, pp 2217-2218, issn 0015-3222Article

Influence des dislocations sur la distribution des centres profonds dans GaAs semi-isolantMARKOV, A. V; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M; OSVENSKIJ, V. B et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1988, Vol 22, Num 1, pp 44-48, issn 0015-3222Article

Absorption de quantums d'énergie inférieure à l'énergie optique d'ionisation d'une impureté dans le phosphure d'indium dopé par le manganèseKURBATOV, V. A; OMEL'YANOVSKIJ, EH. M; POLYAKOV, A. YA et al.Fizika i tehnika poluprovodnikov. 1985, Vol 19, Num 10, pp 1763-1767, issn 0015-3222Article